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台积电:3nm 工艺进展顺利 已有客户参与

工艺进展顺利 已有客户参与

出处:快科技作者:上方文Q如今在半导体在技术方面,台积电一直非常积极,7nm EUV工艺已经大规模生产。 5nm将很快到来,而3nm距离不远。

C.C.台积电首席执行官兼联席主席魏伟在投资者和分析师会议上透露,台积电的N33nm工艺技术发展非常顺利。

早期的客户参与其中,并与台积电合作定义技术,3nm将进一步深化台积电未来的领先地位。

目前,3nm工艺仍处于发展初期。台积电尚未提供任何技术细节,以及性能和功耗指标。例如,与5nm工艺相比可以提高多少,只是说3nm将是一个全新的工艺节点,而不是5nm。改良版。

台积电仅表示已经评估了3nm工艺的所有可能的晶体管结构设计,并且与客户一起获得了非常好的解决方案。具体规格正在进一步发展,公司有信心满足主要客户的所有要求。

三星此前曾透露,它将在3纳米工艺中使用基于纳米片的全栅极MBCFET晶体管结构。

过程节点称为3GAAE。

考虑到台积电必须在新工艺中保持足够的竞争力,并强调3nm是全新的,必然会有新的架构,技术,材料等。

此外,台积电的5nm工艺使用14个EUV EUV光刻层,应该在3nm上使用更多,但仍有可能继续使用DUV深UV光刻技术进行混合使用。